Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWA25M120DF3
STGWA25M120DF3

STGWA25M120DF3 STMicroelectronics

256dm00113757.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+175.69 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWA25M120DF3 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 265 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns, Switching Energy: 850µJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 85 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції STGWA25M120DF3 за ціною від 142.15 грн до 495.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 Виробник : STMicroelectronics 256dm00113757.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+189.21 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 Виробник : STMicroelectronics 256dm00113757.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 Виробник : STMicroelectronics 256dm00113757.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+223.36 грн
10+221.70 грн
25+185.74 грн
100+164.61 грн
250+142.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 Виробник : STMicroelectronics 256dm00113757.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+236.17 грн
62+197.86 грн
100+175.36 грн
250+151.43 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FA0A224443860D5&compId=STGWA25M120DF3.pdf?ci_sign=8fd77ec01072af8c6e517177b493d8b34f8d0b4c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 85nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+412.95 грн
4+243.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 Виробник : STMicroelectronics en.DM00113757.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 265 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 850µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.06 грн
30+257.42 грн
120+214.14 грн
510+171.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 Виробник : STMicroelectronics stgwa25m120df3-1850841.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.04 грн
10+467.34 грн
25+239.54 грн
100+200.51 грн
250+176.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005239024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGWA25M120DF3 - IGBT, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+483.35 грн
10+345.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FA0A224443860D5&compId=STGWA25M120DF3.pdf?ci_sign=8fd77ec01072af8c6e517177b493d8b34f8d0b4c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 375W; TO247-3
Collector current: 25A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 100A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 85nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.54 грн
4+303.99 грн
11+276.47 грн
30+265.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA25M120DF3 Виробник : STMicroelectronics 256dm00113757.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.