STGWA25S120DF3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA25S120DF3 STMicroelectronics
Description: IGBT 1200V 25A TO247-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 265 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31ns/147ns, Switching Energy: 830µJ (on), 2.37mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції STGWA25S120DF3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STGWA25S120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
STGWA25S120DF3 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
STGWA25S120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 1200V 25A TO247-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 265 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/147ns Switching Energy: 830µJ (on), 2.37mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 375 W |
товару немає в наявності |