STGWA30H65DFB2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 248.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA30H65DFB2 STMICROELECTRONICS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns, Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 167 W.
Інші пропозиції STGWA30H65DFB2 за ціною від 124.80 грн до 280.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA30H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 167 W |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STGWA30H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
STGWA30H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STGWA30H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STGWA30H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STGWA30H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STGWA30H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |