Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWA30IH65DF
STGWA30IH65DF

STGWA30IH65DF STMicroelectronics

stgwa30ih65df.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/200ns
Switching Energy: 123µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.61 грн
10+204.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWA30IH65DF STMicroelectronics

Description: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/200ns, Switching Energy: 123µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 180 W.

Інші пропозиції STGWA30IH65DF за ціною від 349.27 грн до 349.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGWA30IH65DF STGWA30IH65DF STMicroelectronics en.dm00695359.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DF STGWA30IH65DF STMicroelectronics stgwa30ih65df.pdf IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DF STGWA30IH65DF STMICROELECTRONICS 3158468.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH65DF - IGBT, 60 A, 1.55 V, 180 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DF en.dm00695359.pdf
STGWA30IH65DF
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+349.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DF stgwa30ih65df.pdf
STGWA30IH65DF
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30IH65DF 3158468.pdf
STGWA30IH65DF
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA30IH65DF - IGBT, 60 A, 1.55 V, 180 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.