STGWA30M65DF2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 194.01 грн |
| 10+ | 169.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA30M65DF2 STMICROELECTRONICS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.
Інші пропозиції STGWA30M65DF2 за ціною від 138.89 грн до 319.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA30M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 258 W |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STGWA30M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
STGWA30M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
STGWA30M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
товару немає в наявності |