Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWA30M65DF2AG
STGWA30M65DF2AG

STGWA30M65DF2AG STMicroelectronics

stgwa30m65df2ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 87A TO247
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 441 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 87 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 81.6 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 756µJ (on), 1.057mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21.6ns/138ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 151 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.88 грн
10+174.12 грн
25+159.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWA30M65DF2AG STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 87A TO247, Qualification: AEC-Q101, Power - Max: 441 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 87 A, Grade: Automotive, Gate Charge: 81.6 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 756µJ (on), 1.057mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 21.6ns/138ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 151 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STGWA30M65DF2AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGWA30M65DF2AG STGWA30M65DF2AG STMicroelectronics stgwa30m65df2ag.pdf IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AG STGWA30M65DF2AG STMICROELECTRONICS 4415018.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 87 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 87A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AG stgwa30m65df2ag.pdf
STGWA30M65DF2AG
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA30M65DF2AG 4415018.pdf
STGWA30M65DF2AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 87 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 87A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.