STGWA40H120DF2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 342.02 грн |
| 30+ | 188.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA40H120DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 488 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns, Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 158 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 468 W.
Інші пропозиції STGWA40H120DF2 за ціною від 196.95 грн до 469.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA40H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STGWA40H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3 Collector current: 40A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 158nC Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 468W Kind of package: tube |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STGWA40H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3 Collector current: 40A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 158nC Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 468W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STGWA40H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STGWA40H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STGWA40H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |