Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWA40H120DF2
STGWA40H120DF2

STGWA40H120DF2 STMicroelectronics

stgw40h120df2-1850670.pdf Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.89 грн
10+369.63 грн
25+202.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWA40H120DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 488 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns, Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 158 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 468 W.

Інші пропозиції STGWA40H120DF2 за ціною від 195.53 грн до 455.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGWA40H120DF2 STGWA40H120DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066778.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+379.68 грн
3+317.06 грн
10+293.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 STGWA40H120DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066778.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 488 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/152ns
Switching Energy: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 468 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.63 грн
30+235.06 грн
120+195.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 STGWA40H120DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066778.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.61 грн
3+395.10 грн
10+352.39 грн
30+335.94 грн
120+302.05 грн
600+292.37 грн
1200+281.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 Виробник : STMicroelectronics 1398968307029191dm0006.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 STGWA40H120DF2 Виробник : STMicroelectronics 1398968307029191dm0006.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA40H120DF2 STGWA40H120DF2 Виробник : STMicroelectronics 1398968307029191dm0006.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.