Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWA40H65DFB

STGWA40H65DFB STMicroelectronics

Name: STGWA40H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 156052-4
Price: 439.64 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

на замовлення 454 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	219.82 грн
10+	152.28 грн
100+	102.15 грн
600+	93.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STGWA40H65DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

Інші пропозиції STGWA40H65DFB

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STGWA40H65DFB	Виробник : STMicroelectronics	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWA40H65DFB	Виробник : STMicroelectronics	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWA40H65DFB	Виробник : STMicroelectronics	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWA40H65DFB	Виробник : STMicroelectronics	Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWA40H65DFB	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.