STGWA40H65DFB2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65DFB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 72A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 287.33 грн |
| 10+ | 203.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA40H65DFB2 STMICROELECTRONICS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/72ns, Switching Energy: 765µJ (on), 410µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 153 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 230 W.
Інші пропозиції STGWA40H65DFB2 за ціною від 100.08 грн до 358.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA40H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/72ns Switching Energy: 765µJ (on), 410µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 153 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W |
на замовлення 726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGWA40H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 45A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGWA40H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 45A Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGWA40H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STGWA40H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 230mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STGWA40H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STGWA40H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT |
товару немає в наявності |