Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWA40H65FB

STGWA40H65FB STMicroelectronics

Name: STGWA40H65FB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 8257720-3
Price: 355.24 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	355.24 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STGWA40H65FB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

Інші пропозиції STGWA40H65FB

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STGWA40H65FB	Виробник : STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)	на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
STGWA40H65FB	Виробник : STMicroelectronics	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWA40H65FB	Виробник : STMicroelectronics	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWA40H65FB	Виробник : STMicroelectronics	IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWA40H65FB	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.