STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247
Power - Max: 227 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Part Status: Active
Gate Charge: 153 nC
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 410µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/125ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 364.17 грн |
| 30+ | 196.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247, Power - Max: 227 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Part Status: Active, Gate Charge: 153 nC, Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Switching Energy: 410µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: -/125ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STGWA40HP65FB2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
STGWA40HP65FB2 | STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
STGWA40HP65FB2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40HP65FB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 72A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGWA40HP65FB2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STGWA40HP65FB2 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40HP65FB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 72A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40HP65FB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 72A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




