STGWA40HP65FB2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA40HP65FB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 72A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 212.21 грн |
| 10+ | 156.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA40HP65FB2 STMICROELECTRONICS
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/125ns, Switching Energy: 410µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 153 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 227 W.
Інші пропозиції STGWA40HP65FB2 за ціною від 111.23 грн до 361.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGWA40HP65FB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/125ns Switching Energy: 410µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 153 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STGWA40HP65FB2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGWA40HP65FB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STGWA40HP65FB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |

