STGWA50H65DFB2 STMicroelectronics
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 256.80 грн |
| 10+ | 197.36 грн |
| 25+ | 183.84 грн |
| 100+ | 145.66 грн |
| 250+ | 127.39 грн |
| 600+ | 106.69 грн |
| 1200+ | 105.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA50H65DFB2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns, Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 151 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 86 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 272 W.
Інші пропозиції STGWA50H65DFB2 за ціною від 113.16 грн до 332.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGWA50H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 8880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGWA50H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 151 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 86 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 272 W |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGWA50H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGWA50H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGWA50H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGWA50H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 151nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGWA50H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 151nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |