Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWA50H65DFB2
STGWA50H65DFB2

STGWA50H65DFB2 STMicroelectronics

stgwa50h65dfb2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+281.22 грн
58+216.13 грн
62+201.32 грн
100+159.52 грн
250+139.50 грн
600+116.84 грн
1200+115.06 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWA50H65DFB2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns, Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 151 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 86 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 272 W.

Інші пропозиції STGWA50H65DFB2 за ціною від 105.18 грн до 313.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGWA50H65DFB2 STGWA50H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa50h65dfb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.31 грн
10+231.56 грн
25+215.70 грн
100+170.91 грн
250+149.47 грн
600+125.18 грн
1200+123.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2 STGWA50H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa50h65dfb2.pdf IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.75 грн
10+207.98 грн
100+134.69 грн
600+108.96 грн
1200+105.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2 STGWA50H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa50h65dfb2.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns
Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.50 грн
10+199.03 грн
100+140.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00671901.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00671901.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA50H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa50h65dfb2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.