STGWA50M65DF2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 119A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29.8ns/143ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 119 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 207 A
Power - Max: 576 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 378.69 грн |
| 10+ | 245.02 грн |
| 100+ | 181.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA50M65DF2AG STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 119A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 121.6 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29.8ns/143ns, Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V, Gate Charge: 147 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 119 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 207 A, Power - Max: 576 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STGWA50M65DF2AG за ціною від 218.70 грн до 449.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA50M65DF2AG | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|