STGWA60H65DFB STMICROELECTRONICS


SGST-S-A0008657982-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA60H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+312.95 грн
10+278.81 грн
100+244.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWA60H65DFB STMICROELECTRONICS

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 66ns/210ns, Switching Energy: 1.59mJ (on), 900µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 306 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції STGWA60H65DFB за ціною від 110.47 грн до 318.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGWA60H65DFB STGWA60H65DFB STMicroelectronics en.DM00079448.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/210ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.23 грн
30+169.93 грн
120+139.82 грн
510+110.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFB STGWA60H65DFB STMicroelectronics en.DM00079448.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFB en.DM00079448.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/210ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+318.23 грн
30+169.93 грн
120+139.82 грн
510+110.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA60H65DFB en.DM00079448.pdf
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.