Продукція > Транзистори > IGBT > STGWA75H65DFB2

STGWA75H65DFB2

stgwa75h65dfb2.pdf
Код товару: 199290
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STGWA75H65DFB2 за ціною від 145.89 грн до 349.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics stgwa75h65dfb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.67 грн
10+147.32 грн
25+145.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics stgwa75h65dfb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.92 грн
96+148.46 грн
97+147.03 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics stgwa75h65dfb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.06 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics stgwa75h65dfb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.48 грн
10+222.90 грн
25+220.73 грн
60+192.12 грн
120+176.12 грн
270+153.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics en.dm00679524.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+343.93 грн
46+313.04 грн
52+277.04 грн
60+241.64 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics STGWA75H65DFB2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+349.52 грн
10+267.53 грн
30+212.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics stgwa75h65dfb2.pdf IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 STMICROELECTRONICS 3108752.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 stgwa75h65dfb2.pdf
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+162.67 грн
10+147.32 грн
25+145.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 stgwa75h65dfb2.pdf
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+163.92 грн
96+148.46 грн
97+147.03 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 stgwa75h65dfb2.pdf
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+179.06 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 stgwa75h65dfb2.pdf
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+297.48 грн
10+222.90 грн
25+220.73 грн
60+192.12 грн
120+176.12 грн
270+153.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 en.dm00679524.pdf
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+343.93 грн
46+313.04 грн
52+277.04 грн
60+241.64 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2.pdf
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+349.52 грн
10+267.53 грн
30+212.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 stgwa75h65dfb2.pdf
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 3108752.pdf
STGWA75H65DFB2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.