STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 88 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns, Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V, Gate Charge: 207 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 115 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 357 W.
Інші пропозиції STGWA75H65DFB2 за ціною від 196.61 грн до 443.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA75H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGWA75H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGWA75H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 71A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGWA75H65DFB2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 115A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGWA75H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 71A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STGWA75H65DFB2 Код товару: 199290 |
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
|
|
STGWA75H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STGWA75H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STGWA75H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 88 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 207 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 115 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 357 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STGWA75H65DFB2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT |
товару немає в наявності |