Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWA75H65DFB2
STGWA75H65DFB2

STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics

en.dm00679524.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+177.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 88 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns, Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V, Gate Charge: 207 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 115 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 357 W.

Інші пропозиції STGWA75H65DFB2 за ціною від 180.24 грн до 475.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00679524.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00679524.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+189.49 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00679524.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+296.70 грн
46+270.05 грн
52+238.99 грн
60+208.46 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 Виробник : STMICROELECTRONICS 3108752.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 115A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+382.93 грн
10+321.04 грн
100+259.96 грн
500+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+396.14 грн
4+263.62 грн
10+249.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB6729720EB60D5&compId=STGWA75H65DFB2.pdf?ci_sign=0724d3698b17884034a7a71328f213dc99f9a6d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 71A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.36 грн
4+328.51 грн
10+298.87 грн
120+287.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2
Код товару: 199290
Додати до обраних Обраний товар

stgwa75h65dfb2.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00679524.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00679524.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa75h65dfb2.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns
Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 357 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWA75H65DFB2 STGWA75H65DFB2 Виробник : STMicroelectronics stgwa75h65dfb2-1859884.pdf IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.