STGWA75M65DF2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 225nC
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 430.37 грн |
| 3+ | 359.43 грн |
| 10+ | 317.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA75M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 165 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns, Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 468 W.
Інші пропозиції STGWA75M65DF2 за ціною від 227.73 грн до 552.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 468W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 225nC Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 165 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 468 W |
товару немає в наявності |