STGWA75M65DF2 STMicroelectronics
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 454.98 грн |
| 10+ | 405.06 грн |
| 25+ | 287.46 грн |
| 100+ | 243.59 грн |
| 250+ | 203.99 грн |
| 600+ | 193.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA75M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 165 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns, Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 468 W.
Інші пропозиції STGWA75M65DF2 за ціною від 223.11 грн до 641.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
 IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 468W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 165 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 468 W |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 468W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 468W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STGWA75M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |