STGWA75M65DF2 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 568.09 грн |
| 10+ | 505.76 грн |
| 25+ | 358.92 грн |
| 100+ | 304.15 грн |
| 250+ | 254.70 грн |
| 600+ | 241.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA75M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 165 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns, Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 468 W.
Інші пропозиції STGWA75M65DF2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA75M65DF2 | STMicroelectronics |
 IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGWA75M65DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)