Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWA80H65DFB

STGWA80H65DFB STMicroelectronics

Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 470W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 414nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STGWA80H65DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 414 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.

Інші пропозиції STGWA80H65DFB

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STGWA80H65DFB	Виробник : STMicroelectronics	Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWA80H65DFB	Виробник : STMicroelectronics	Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWA80H65DFB	Виробник : STMicroelectronics	Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 414 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 469 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWA80H65DFB	Виробник : STMicroelectronics	IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWA80H65DFB	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.