STGWA8M120DF3 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGWA8M120DF3 - IGBT, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 214.57 грн |
| 10+ | 188.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWA8M120DF3 STMICROELECTRONICS
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns, Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off), Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V, Gate Charge: 32 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A, Power - Max: 167 W.
Інші пропозиції STGWA8M120DF3 за ціною від 148.84 грн до 331.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA8M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 103 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off) Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V Gate Charge: 32 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 167 W |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| STGWA8M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
STGWA8M120DF3 THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
STGWA8M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
STGWA8M120DF3 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss |
товару немає в наявності |