STGWT20V60DF STMicroelectronics
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 93.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWT20V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 40 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns, Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15V, Gate Charge: 116 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 167 W.
Інші пропозиції STGWT20V60DF за ціною від 100.70 грн до 151.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGWT20V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
STGWT20V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STGWT20V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| STGWT20V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
STGWT20V60DF THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
STGWT20V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15V Gate Charge: 116 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 167 W |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
STGWT20V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT |
товару немає в наявності |