Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWT30H60DFB
STGWT30H60DFB

STGWT30H60DFB STMicroelectronics

stgwt30h60dfb.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+156.00 грн
510+154.46 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWT30H60DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.

Інші пропозиції STGWT30H60DFB за ціною від 118.51 грн до 296.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGWT30H60DFB STGWT30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.51 грн
30+144.95 грн
120+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFB STGWT30H60DFB STMicroelectronics stgwt30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+296.23 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFB STGWT30H60DFB STMICROELECTRONICS en.DM00125118.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWT30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFB STGWT30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFB en.DM00125118.pdf
STGWT30H60DFB
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.51 грн
30+144.95 грн
120+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFB stgwt30h60dfb.pdf
STGWT30H60DFB
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+296.23 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFB en.DM00125118.pdf
STGWT30H60DFB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30H60DFB en.DM00125118.pdf
STGWT30H60DFB
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.