STGWT30H60DFB STMicroelectronics
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 111.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWT30H60DFB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.
Інші пропозиції STGWT30H60DFB за ціною від 85.33 грн до 332.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWT30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGWT30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STGWT30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGWT30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGWT30H60DFB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench HB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STGWT30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STGWT30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STGWT30H60DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO3P Mounting: THT Case: TO3P Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 260W Collector-emitter voltage: 600V Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 149nC |
товару немає в наявності |