Технічний опис STGWT30H65FB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.
Інші пропозиції STGWT30H65FB за ціною від 141.68 грн до 141.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWT30H65FB | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
STGWT30H65FB | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGWT30H65FB |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 141.68 грн |
| STGWT30H65FB |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)