Продукція > STM > STGWT30HP65FB

STGWT30HP65FB STM


en.DM00245474.pdf
Виробник: STM
IGBT TRENCH 650V 60A TO3P Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWT30HP65FB STM

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Part Status: Active, Gate Charge: 149 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 293µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: -/146ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3P, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power - Max: 260 W.

Інші пропозиції STGWT30HP65FB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGWT30HP65FB STGWT30HP65FB Виробник : STMicroelectronics en.DM00245474.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 149 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT30HP65FB Виробник : STMicroelectronics en.DM00245474.pdf RF Bipolar Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.