STGWT40HP65FB
Код товару: 148933
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: TO-3P
Vces: 650 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
td(on)/td(off) 100-150 град: /142
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STGWT40HP65FB за ціною від 72.68 грн до 299.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWT40HP65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 143 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGWT40HP65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/142ns Switching Energy: 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGWT40HP65FB | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT |
на замовлення 833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGWT40HP65FB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT40HP65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGWT40HP65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STGWT40HP65FB | Виробник : STM |
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |