STGWT40HP65FB

STGWT40HP65FB STMicroelectronics


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8F9EF5DE0984A0D5&compId=STGWT40HP65FB.pdf?ci_sign=c1bdb0f420633ce392bec7d507a8ff4d6c64c13a Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+210.51 грн
10+155.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWT40HP65FB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/142ns, Switching Energy: 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

Інші пропозиції STGWT40HP65FB за ціною від 71.51 грн до 286.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics en.DM00236841.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.74 грн
30+123.17 грн
120+100.23 грн
510+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics en.DM00236841.pdf IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.48 грн
10+135.75 грн
100+80.21 грн
600+73.55 грн
1200+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8F9EF5DE0984A0D5&compId=STGWT40HP65FB.pdf?ci_sign=c1bdb0f420633ce392bec7d507a8ff4d6c64c13a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.62 грн
10+193.50 грн
30+154.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMICROELECTRONICS 2819073.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWT40HP65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+270.78 грн
10+146.85 грн
100+140.91 грн
500+125.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics dm00236.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+286.94 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB
Код товару: 148933
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00236841.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 650 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
td(on)/td(off) 100-150 град: /142
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+143.00 грн
10+131.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics dm00236.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics dm00236.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.