
STGWT40HP65FB STMicroelectronics
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
80+ | 153.61 грн |
120+ | 125.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWT40HP65FB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/142ns, Switching Energy: 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.
Інші пропозиції STGWT40HP65FB за ціною від 83.13 грн до 268.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGWT40HP65FB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STGWT40HP65FB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 283W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.21µC Mounting: THT Case: TO3P |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STGWT40HP65FB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 283W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.21µC Mounting: THT Case: TO3P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STGWT40HP65FB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STGWT40HP65FB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/142ns Switching Energy: 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STGWT40HP65FB Код товару: 148933
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: TO-3P Vces: 650 V Vce: 1,7 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A td(on)/td(off) 100-150 град: /142 |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
![]() |
STGWT40HP65FB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STGWT40HP65FB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |