STGWT40HP65FB

STGWT40HP65FB STMicroelectronics


dm00236.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+153.61 грн
120+125.27 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWT40HP65FB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/142ns, Switching Energy: 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

Інші пропозиції STGWT40HP65FB за ціною від 83.13 грн до 268.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMICROELECTRONICS 2819073.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWT40HP65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.57 грн
10+135.35 грн
100+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics STGWT40HP65FB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Mounting: THT
Case: TO3P
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.40 грн
7+137.17 грн
18+129.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics STGWT40HP65FB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.21µC
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.48 грн
7+170.94 грн
18+155.41 грн
120+153.57 грн
510+149.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics stgwt40hp65fb-1850844.pdf IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.65 грн
10+153.13 грн
100+108.88 грн
300+89.75 грн
600+86.81 грн
1200+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics en.DM00236841.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.98 грн
30+140.80 грн
120+114.82 грн
510+89.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB
Код товару: 148933
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00236841.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 650 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
td(on)/td(off) 100-150 град: /142
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+143.00 грн
10+131.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics dm00236.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB Виробник : STMicroelectronics dm00236.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.