Продукція > Транзистори > IGBT > STGWT40HP65FB

STGWT40HP65FB

en.DM00236841.pdf
Код товару: 148933
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-3P
Напруга колектор-емітер Vces, V: 650 V
Напруга насичення Vce, V: 1,7 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 80 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 40 A
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: /142
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+143.00 грн
10+131.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STGWT40HP65FB за ціною від 73.16 грн до 247.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMicroelectronics STGWT40HP65FB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+221.27 грн
10+155.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMicroelectronics en.DM00236841.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.71 грн
30+124.01 грн
120+100.91 грн
510+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMICROELECTRONICS 2819073.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWT40HP65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.85 грн
10+134.12 грн
100+130.06 грн
500+116.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMicroelectronics en.DM00236841.pdf IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.10 грн
10+132.20 грн
100+94.06 грн
600+76.64 грн
1200+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB.pdf
STGWT40HP65FB
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+221.27 грн
10+155.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB en.DM00236841.pdf
STGWT40HP65FB
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.71 грн
30+124.01 грн
120+100.91 грн
510+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB 2819073.pdf
STGWT40HP65FB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT40HP65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+243.85 грн
10+134.12 грн
100+130.06 грн
500+116.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT40HP65FB en.DM00236841.pdf
STGWT40HP65FB
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.10 грн
10+132.20 грн
100+94.06 грн
600+76.64 грн
1200+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.