Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWT60H65FB
STGWT60H65FB

STGWT60H65FB STMicroelectronics

37751432937114880dm00094070.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+146.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWT60H65FB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns, Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 306 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції STGWT60H65FB за ціною від 146.34 грн до 146.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGWT60H65FB STGWT60H65FB STMicroelectronics 37751432937114880dm00094070.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.34 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65FB STGWT60H65FB STMicroelectronics en.DM00094070.pdf IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65FB STMICROELECTRONICS en.DM00094070.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWT60H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65FB 37751432937114880dm00094070.pdf
STGWT60H65FB
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+146.34 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65FB en.DM00094070.pdf
STGWT60H65FB
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT60H65FB en.DM00094070.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT60H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.