Технічний опис STGWT60H65FB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns, Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 306 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 375 W.
Інші пропозиції STGWT60H65FB за ціною від 146.01 грн до 146.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWT60H65FB | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
STGWT60H65FB | STMicroelectronics |
IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGWT60H65FB |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 97+ | 146.01 грн |
| STGWT60H65FB |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)