Продукція > STMICROELECTRONICS > STGWT60V60DF

STGWT60V60DF STMicroelectronics

Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 600V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STGWT60V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 80A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns, Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 334 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 375 W.

Інші пропозиції STGWT60V60DF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STGWT60V60DF	Виробник : STMicroelectronics	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWT60V60DF	Виробник : STMicroelectronics	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWT60V60DF	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWT60V60DF	Виробник : STMicroelectronics	Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 80A Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 334 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 375 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGWT60V60DF	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 375W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 375W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 334nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.