STGWT80H65DFB STMICROELECTRONICS


en.DM00079449.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+486.08 грн
5+444.63 грн
10+403.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGWT80H65DFB STMICROELECTRONICS

Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 414 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.

Інші пропозиції STGWT80H65DFB за ціною від 227.06 грн до 490.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGWT80H65DFB STGWT80H65DFB STMicroelectronics en.DM00079449.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.67 грн
30+271.35 грн
120+227.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65DFB STGWT80H65DFB STMicroelectronics en.DM00079449.pdf IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65DFB en.DM00079449.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+490.67 грн
30+271.35 грн
120+227.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGWT80H65DFB en.DM00079449.pdf
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.