STGWT80H65DFB STMicroelectronics
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 362.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWT80H65DFB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 414 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.
Інші пропозиції STGWT80H65DFB за ціною від 263.33 грн до 567.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWT80H65DFB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGWT80H65DFB - IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGWT80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGWT80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 414 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 469 W |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGWT80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STGWT80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STGWT80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STGWT80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 470W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 414nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |