STGWT80H65FB STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 567.33 грн |
| 10+ | 503.39 грн |
| 25+ | 413.45 грн |
| 100+ | 358.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWT80H65FB STMicroelectronics
Description: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 414 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.
Інші пропозиції STGWT80H65FB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STGWT80H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
STGWT80H65FB THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
STGWT80H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 414 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 469 W |
товару немає в наявності |