STGWT80V60DF STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 120A 469W TO-3P
Power - Max: 469 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Gate Charge: 448 nC
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWT80V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 120A 469W TO-3P, Power - Max: 469 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Gate Charge: 448 nC, Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V, Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3P, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STGWT80V60DF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWT80V60DF | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STGWT80V60DF | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGWT80V60DF |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
IGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STGWT80V60DF |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)