STGWT80V60DF STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 120A 469W TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 448 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 431.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGWT80V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 120A 469W TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 448 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.
Інші пропозиції STGWT80V60DF за ціною від 366.95 грн до 1192.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWT80V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGWT80V60DF | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGWT80V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STGWT80V60DF | Виробник : STMicroelectronics |
STGWT80V60DF THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |