
STGY80H65DFB STMicroelectronics
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1239.38 грн |
10+ | 1123.53 грн |
30+ | 936.52 грн |
120+ | 824.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGY80H65DFB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: MAX247™, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 414 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.
Інші пропозиції STGY80H65DFB
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGY80H65DFB | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A Supplier Device Package: MAX247™ IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 414 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 469 W |
товару немає в наявності |