STGY80H65DFB

STGY80H65DFB STMicroelectronics


en.DM00079449-1143693.pdf Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1239.38 грн
10+1123.53 грн
30+936.52 грн
120+824.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGY80H65DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 85 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: MAX247™, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns, Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 414 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.

Інші пропозиції STGY80H65DFB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGY80H65DFB STGY80H65DFB Виробник : STMicroelectronics STGx%28x%2980H65DFB_Rev6_May2015.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 469 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.