
STGYA120M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT NPT FS 650V 160A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 202 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 933.48 грн |
30+ | 727.48 грн |
120+ | 684.68 грн |
510+ | 582.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGYA120M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT NPT FS 650V 160A MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Exposed Pad, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 202 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: MAX247™, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 420 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A, Power - Max: 625 W.
Інші пропозиції STGYA120M65DF2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGYA120M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
STGYA120M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STGYA120M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STGYA120M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |