STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 202 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 524.68 грн |
| 10+ | 346.89 грн |
| 100+ | 327.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 202 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: MAX247™, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 420 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A, Power - Max: 625 W.
Інші пропозиції STGYA120M65DF2AG за ціною від 271.65 грн до 1070.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGYA120M65DF2AG | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGYA120M65DF2AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGYA120M65DF2AG - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: MAX-247 Dauerkollektorstrom: 160A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STGYA120M65DF2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W Automotive 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STGYA120M65DF2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W Automotive 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STGYA120M65DF2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247; automotive industry Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 120A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 360A Mounting: THT Gate charge: 420nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Application: automotive industry |
товару немає в наявності |