Продукція > STMICROELECTRONICS > STGYA120M65DF2AG
STGYA120M65DF2AG

STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics

en.DM00318983.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 202 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+502.43 грн
10+332.18 грн
100+313.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 202 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: MAX247™, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 420 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A, Power - Max: 625 W.

Інші пропозиції STGYA120M65DF2AG за ціною від 406.89 грн до 536.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGYA120M65DF2AG STGYA120M65DF2AG STMICROELECTRONICS en.DM00318983.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGYA120M65DF2AG - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MAX-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.48 грн
5+521.03 грн
10+505.59 грн
50+455.14 грн
100+406.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2AG STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics en.DM00318983.pdf IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2AG en.DM00318983.pdf
STGYA120M65DF2AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGYA120M65DF2AG - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MAX-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+536.48 грн
5+521.03 грн
10+505.59 грн
50+455.14 грн
100+406.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGYA120M65DF2AG en.DM00318983.pdf
STGYA120M65DF2AG
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.