STGYA50H120DF2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGYA50H120DF2 - IGBT, 100 A, 2.1 V, 535 W, 1.2 kV, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: MAX-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 432.45 грн |
| 5+ | 412.80 грн |
| 10+ | 393.14 грн |
| 50+ | 347.60 грн |
| 100+ | 304.01 грн |
| 250+ | 287.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGYA50H120DF2 STMICROELECTRONICS
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 340 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/284ns, Switching Energy: 2mJ (on), 2.1mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 535 W.
Інші пропозиції STGYA50H120DF2 за ціною від 232.37 грн до 773.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGYA50H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 340 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/284ns Switching Energy: 2mJ (on), 2.1mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGYA50H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGYA50H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 535W Case: MAX247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGYA50H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 535W Case: MAX247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGYA50H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товару немає в наявності |