STGYA50H120DF2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/284ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.22 грн |
| 10+ | 267.72 грн |
| 30+ | 262.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGYA50H120DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 340 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/284ns, Switching Energy: 2mJ (on), 2.1mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 535 W.
Інші пропозиції STGYA50H120DF2 за ціною від 256.87 грн до 931.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGYA50H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT |
на замовлення 579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGYA50H120DF2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGYA50H120DF2 - IGBT, 100 A, 2.1 V, 535 W, 1.2 kV, MAX-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGYA50H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247 Collector current: 50A Case: MAX247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 535W Kind of package: tube Gate charge: 0.21µC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGYA50H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 535W; MAX247 Collector current: 50A Case: MAX247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 535W Kind of package: tube Gate charge: 0.21µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGYA50H120DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
товару немає в наявності |