STGYA75H120DF2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 356 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 61ns/366ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 3.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 313 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 750 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 815.20 грн |
| 30+ | 635.79 грн |
| 120+ | 598.40 грн |
| 510+ | 508.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGYA75H120DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 356 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 61ns/366ns, Switching Energy: 4.3mJ (on), 3.9mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 313 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 750 W.
Інші пропозиції STGYA75H120DF2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGYA75H120DF2 | STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGYA75H120DF2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)