Продукція > STMICROELECTRONICS > STH10N80K5-2AG
STH10N80K5-2AG

STH10N80K5-2AG STMicroelectronics

sth10n80k5-2ag.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+332.91 грн
10+212.24 грн
100+158.49 грн
500+131.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH10N80K5-2AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 121W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STH10N80K5-2AG за ціною від 115.31 грн до 358.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STH10N80K5-2AG STH10N80K5-2AG Виробник : STMicroelectronics sth10n80k5-2ag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.16 грн
10+234.49 грн
100+155.79 грн
500+135.93 грн
1000+116.84 грн
2000+115.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH10N80K5-2AG STH10N80K5-2AG Виробник : STMicroelectronics sth10n80k5-2ag.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH10N80K5-2AG Виробник : STMicroelectronics sth10n80k5-2ag.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH10N80K5-2AG STH10N80K5-2AG Виробник : STMicroelectronics sth10n80k5-2ag.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 426 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.