STH12N120K5-2

STH12N120K5-2 STMicroelectronics


en.DM00036727.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+455.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH12N120K5-2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STH12N120K5-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STH12N120K5-2 за ціною від 411.19 грн до 961.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STH12N120K5-2 STH12N120K5-2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00036727.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+920.91 грн
10+618.55 грн
100+466.88 грн
500+411.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2 STH12N120K5-2 Виробник : STMicroelectronics sth12n120k5_2-1850906.pdf MOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.72 грн
10+653.25 грн
25+567.31 грн
100+441.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2 STH12N120K5-2 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000774161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STH12N120K5-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+961.61 грн
5+825.77 грн
10+689.92 грн
50+598.59 грн
100+514.44 грн
250+475.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2 STH12N120K5-2 Виробник : STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2 Виробник : STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH12N120K5-2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00036727.pdf STH12N120K5-2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.