STH13N120K5-2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 405.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH13N120K5-2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH13N120K5-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STH13N120K5-2AG за ціною від 366.80 грн до 821.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STH13N120K5-2AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH13N120K5-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STH13N120K5-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STH13N120K5-2AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH13N120K5-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STH13N120K5-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STH13N120K5-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STH13N120K5-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |