STH140N8F7-2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 311.72 грн |
| 10+ | 197.47 грн |
| 100+ | 139.31 грн |
| 500+ | 107.43 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH140N8F7-2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH140N8F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.004 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (05-Nov-2025), Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm.
Інші пропозиції STH140N8F7-2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STH140N8F7-2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STH140N8F7-2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH140N8F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.004 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (05-Nov-2025) Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STH140N8F7-2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET
MOSFETs N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STH140N8F7-2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH140N8F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.004 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STH140N8F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.004 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)