STH145N8F7-2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 112.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH145N8F7-2AG STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STH145N8F7-2AG за ціною від 118.81 грн до 218.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STH145N8F7-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STH145N8F7-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
| STH145N8F7-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
 |
STH145N8F7-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H |
товар відсутній |