STH150N10F7-2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 161.76 грн |
| 500+ | 140.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH150N10F7-2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STH150N10F7-2 за ціною від 119.81 грн до 377.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STH150N10F7-2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STH150N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STH150N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package |
на замовлення 503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STH150N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STH150N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STH150N10F7-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |