Технічний опис STH15NB50FI ST
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218, Packaging: Tube, Package / Case: ISOWATT-218-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOWATT-218, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STH15NB50FI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
STH15NB50FI ISOWATT218 Код товару: 116399 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
STH15NB50FI | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218 Packaging: Tube Package / Case: ISOWATT-218-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOWATT-218 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
STH15NB50FI | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET MOS 500V 0.36OHM |
товар відсутній |