Продукція > ST > STH15NB50FI

STH15NB50FI


STH15NB50FI, STW15NB50.pdf Виробник: ST

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH15NB50FI ST

Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218, Packaging: Tube, Package / Case: ISOWATT-218-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOWATT-218, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STH15NB50FI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STH15NB50FI ISOWATT218
Код товару: 116399
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STH15NB50FI STH15NB50FI Виробник : STMicroelectronics STH15NB50FI, STW15NB50.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
Packaging: Tube
Package / Case: ISOWATT-218-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOWATT-218
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товар відсутній
STH15NB50FI STH15NB50FI Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001083-1204479.pdf MOSFET MOS 500V 0.36OHM
товар відсутній