Продукція > STMICROELECTRONICS > STH170N8F7-2
STH170N8F7-2

STH170N8F7-2 STMicroelectronics

en.DM00117288.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.27 грн
10+214.32 грн
25+185.93 грн
100+144.60 грн
250+130.08 грн
500+121.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH170N8F7-2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V.

Інші пропозиції STH170N8F7-2 за ціною від 117.81 грн до 344.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STH170N8F7-2 STH170N8F7-2 Виробник : STMicroelectronics sth170n8f7_2-1851190.pdf MOSFETs N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+344.05 грн
10+240.36 грн
25+190.77 грн
100+165.69 грн
250+156.57 грн
500+140.61 грн
1000+117.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STH170N8F7-2 STH170N8F7-2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00117288.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.