STH180N10F3-2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 442.87 грн |
| 10+ | 285.58 грн |
| 100+ | 205.66 грн |
| 500+ | 190.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH180N10F3-2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 315W, Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: StripFET F3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STH180N10F3-2 за ціною від 125.99 грн до 469.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STH180N10F3-2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 315W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: StripFET F3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STH180N10F3-2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STH180N10F3-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
STH180N10F3-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STH180N10F3-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STH180N10F3-2 | Виробник : STMicroelectronics |
STH180N10F3-2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STH180N10F3-2 | Виробник : STMicroelectronics |
STH180N10F3-2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STH180N10F3-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 315W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |