STH180N10F3-2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 383.21 грн |
| 10+ | 245.66 грн |
| 100+ | 175.71 грн |
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Технічний опис STH180N10F3-2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 315W, Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: StripFET F3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STH180N10F3-2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STH180N10F3-2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 315W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: StripFET F3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STH180N10F3-2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STH180N10F3-2 |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STH180N10F3-2 |
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Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
MOSFETs N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)