Продукція > STMICROELECTRONICS > STH180N10F3-2
STH180N10F3-2

STH180N10F3-2 STMicroelectronics

sth180n10f3_2-1850984.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 886-895 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.16 грн
10+ 318.54 грн
100+ 224.52 грн
500+ 199.28 грн
1000+ 170.71 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH180N10F3-2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STH180N10F3-2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STH180N10F3-2 STH180N10F3-2 Виробник : STMicroelectronics 718636693372557dm00034472.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товар відсутній
STH180N10F3-2 Виробник : STMicroelectronics 718636693372557dm00034472.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товар відсутній
STH180N10F3-2 STH180N10F3-2 Виробник : STMicroelectronics sth180n10f3-2.pdf STH180N10F3-2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com
товар відсутній
STH180N10F3-2 STH180N10F3-2 Виробник : STMicroelectronics sth180n10f3-2.pdf STH180N10F3-2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R - Arrow.com
товар відсутній
STH180N10F3-2 STH180N10F3-2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00034472.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
товар відсутній
STH180N10F3-2 STH180N10F3-2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00034472.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
товар відсутній