Продукція > STMICROELECTRONICS > STH200N10WF7-2
STH200N10WF7-2

STH200N10WF7-2 STMicroelectronics

sth200n10wf7-2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+204.72 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH200N10WF7-2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 340W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 340W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.

Інші пропозиції STH200N10WF7-2 за ціною від 175.47 грн до 314.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+232.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+233.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.98 грн
10+264.93 грн
25+262.30 грн
50+250.39 грн
100+201.60 грн
250+191.60 грн
500+189.67 грн
1000+175.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0013412698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf MOSFETs N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0013412698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 340W; H2PAK-2
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 340W
Kind of channel: enhancement
Case: H2PAK-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+263.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 sth200n10wf7-2.pdf
STH200N10WF7-2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+232.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 sth200n10wf7-2.pdf
STH200N10WF7-2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+233.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 sth200n10wf7-2.pdf
STH200N10WF7-2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+314.98 грн
10+264.93 грн
25+262.30 грн
50+250.39 грн
100+201.60 грн
250+191.60 грн
500+189.67 грн
1000+175.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 SGST-S-A0013412698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STH200N10WF7-2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 sth200n10wf7-2.pdf
STH200N10WF7-2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 SGST-S-A0013412698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STH200N10WF7-2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 sth200n10wf7-2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 340W; H2PAK-2
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 340W
Kind of channel: enhancement
Case: H2PAK-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+263.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.