Продукція > STMICROELECTRONICS > STH200N10WF7-2
STH200N10WF7-2

STH200N10WF7-2 STMicroelectronics

sth200n10wf7-2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+206.55 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 69 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH200N10WF7-2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 340W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 340W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.

Інші пропозиції STH200N10WF7-2 за ціною від 177.04 грн до 317.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+234.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+235.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.79 грн
10+267.29 грн
25+264.64 грн
50+252.62 грн
100+203.40 грн
250+193.31 грн
500+191.36 грн
1000+177.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0013412698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0013412698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 340W; H2PAK-2
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 340W
Kind of channel: enhancement
Case: H2PAK-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+259.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 sth200n10wf7-2.pdf
STH200N10WF7-2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+234.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 sth200n10wf7-2.pdf
STH200N10WF7-2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+235.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 sth200n10wf7-2.pdf
STH200N10WF7-2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+317.79 грн
10+267.29 грн
25+264.64 грн
50+252.62 грн
100+203.40 грн
250+193.31 грн
500+191.36 грн
1000+177.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 SGST-S-A0013412698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STH200N10WF7-2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 SGST-S-A0013412698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STH200N10WF7-2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH200N10WF7-2 sth200n10wf7-2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 340W; H2PAK-2
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 340W
Kind of channel: enhancement
Case: H2PAK-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+259.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.