STH240N10F7-2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
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Технічний опис STH240N10F7-2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0025 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (05-Nov-2025), Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm.
Інші пропозиції STH240N10F7-2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STH240N10F7-2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0025 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (05-Nov-2025) Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STH240N10F7-2 |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0025 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0025 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)