STH240N10F7-6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 342.55 грн |
| 10+ | 218.17 грн |
| 100+ | 154.82 грн |
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Технічний опис STH240N10F7-6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.
Інші пропозиції STH240N10F7-6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STH240N10F7-6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STH240N10F7-6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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STH240N10F7-6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STH240N10F7-6 |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STH240N10F7-6 |
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Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
MOSFETs N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STH240N10F7-6 |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Produktpalette: STripFET F7 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
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Produktpalette: STripFET F7 Series
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термін постачання 21-31 дні (днів)