STH240N10F7-6

STH240N10F7-6 STMICROELECTRONICS


SGST-S-A0004362540-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+242.92 грн
500+ 192.36 грн
1000+ 149.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH240N10F7-6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції STH240N10F7-6 за ціною від 131.52 грн до 367.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STH240N10F7-6 STH240N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00111318.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+289.58 грн
10+ 234.01 грн
100+ 189.36 грн
500+ 157.96 грн
STH240N10F7-6 STH240N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics sth240n10f7_2-1850928.pdf MOSFET N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ 180 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+313.86 грн
10+ 259.72 грн
25+ 183.34 грн
100+ 182.67 грн
250+ 163.41 грн
500+ 138.83 грн
1000+ 131.52 грн
STH240N10F7-6 STH240N10F7-6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004362540-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+367.36 грн
10+ 296.57 грн
100+ 242.92 грн
500+ 192.36 грн
1000+ 149.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
STH240N10F7-6 STH240N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics 1903742174443259dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товар відсутній
STH240N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics 1903742174443259dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товар відсутній
STH240N10F7-6 STH240N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00111318.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
товар відсутній