STH260N6F6-2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 140.62 грн |
| 500+ | 115.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH260N6F6-2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STH260N6F6-2 за ціною від 108.69 грн до 348.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STH260N6F6-2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STH260N6F6-2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STH260N6F6-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: H2Pak-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STH260N6F6-2 | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 60V, 180A, 300Вт, 2,4мОм, DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STH260N6F6-2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: H2Pak-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |