STH275N8F7-6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 186.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH275N8F7-6AG STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: H2PAK-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STH275N8F7-6AG за ціною від 184.21 грн до 441.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STH275N8F7-6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 315W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2PAK-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STH275N8F7-6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ 180 A STripFET F7 Power MOSFET in |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STH275N8F7-6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |