STH30N65DM6-7AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 541.15 грн |
| 10+ | 366.92 грн |
| 100+ | 267.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STH30N65DM6-7AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 223W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 223W, Bauform - Transistor: H2PAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STH30N65DM6-7AG за ціною від 225.85 грн до 569.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STH30N65DM6-7AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STH30N65DM6-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET Automotive-grade |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STH30N65DM6-7AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 223W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: H2PAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
STH30N65DM6-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STH30N65DM6-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STH30N65DM6-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A Mounting: SMD Case: H2PAK7 Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A On-state resistance: 0.115Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 223W Polarisation: unipolar Gate charge: 46nC Technology: MDmesh™ DM6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 112A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
STH30N65DM6-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: H2PAK-7 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STH30N65DM6-7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A Mounting: SMD Case: H2PAK7 Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A On-state resistance: 0.115Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 223W Polarisation: unipolar Gate charge: 46nC Technology: MDmesh™ DM6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 112A |
товару немає в наявності |