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STH30N65DM6-7AG

STH30N65DM6-7AG STMicroelectronics

sth30n65dm6-7ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
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Технічний опис STH30N65DM6-7AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 223W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 223W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm.

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Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STH30N65DM6-7AG STH30N65DM6-7AG STMICROELECTRONICS 3475729.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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STH30N65DM6-7AG STH30N65DM6-7AG STMICROELECTRONICS 3475729.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: H2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Produktpalette: MDmesh DM6
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
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STH30N65DM6-7AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
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на замовлення 21 шт:
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Description: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Produktpalette: MDmesh DM6
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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