STH310N10F7-2 STMicroelectronics


en.DM00072096.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+151.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH310N10F7-2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: H2Pak-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STH310N10F7-2 за ціною від 155.57 грн до 528.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STH310N10F7-2 STH310N10F7-2 STMicroelectronics 735924070607424dm00072096.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2 STH310N10F7-2 STMicroelectronics 735924070607424dm00072096.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+315.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2 STH310N10F7-2 STMicroelectronics en.DM00072096.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.85 грн
10+261.75 грн
50+205.61 грн
100+176.02 грн
500+159.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2 STH310N10F7-2 STMicroelectronics en.DM00072096.pdf MOSFETs N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+466.70 грн
10+255.58 грн
100+193.35 грн
1000+178.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2 STH310N10F7-2 STMicroelectronics 735924070607424dm00072096.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+528.35 грн
39+381.15 грн
100+290.59 грн
500+263.91 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2 735924070607424dm00072096.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+155.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2 735924070607424dm00072096.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+315.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2 en.DM00072096.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+407.85 грн
10+261.75 грн
50+205.61 грн
100+176.02 грн
500+159.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2 en.DM00072096.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+466.70 грн
10+255.58 грн
100+193.35 грн
1000+178.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-2 735924070607424dm00072096.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+528.35 грн
39+381.15 грн
100+290.59 грн
500+263.91 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.