Продукція > STMICROELECTRONICS > STH310N10F7-6
STH310N10F7-6

STH310N10F7-6 STMicroelectronics

en.DM00072096.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+192.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STH310N10F7-6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: H2PAK-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STH310N10F7-6 за ціною від 175.96 грн до 512.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STH310N10F7-6 STH310N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00072096.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.01 грн
10+309.01 грн
100+224.59 грн
500+175.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-6 STH310N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics sth310n10f7_2-1851030.pdf MOSFETs N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.88 грн
10+347.73 грн
100+221.64 грн
500+194.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-6 STH310N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics 735924070607424dm00072096.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STH310N10F7-6 Виробник : STMicroelectronics 735924070607424dm00072096.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.